單項(xiàng)選擇題關(guān)于空穴，下面哪一項(xiàng)不正確？（）

A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個(gè)帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流來(lái)代替受束縛的電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流
D.硅的價(jià)電子比鍺的價(jià)電子越容易擺脫束縛（相同情況）


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1.單項(xiàng)選擇題

電路如圖所示。求（）。

A.R1/R2
B.R2/R1
C.-R1/R2
D.-R2/R1

2.單項(xiàng)選擇題

電路如圖所示。求（）。

A.4
B.3
C.2
D.1

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于運(yùn)放，以下哪個(gè)說(shuō)法是正確的？（）

A.輸出級(jí)是為了電壓的放大
B.有一個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端
C.為了得到虛短和虛斷，需要引入負(fù)反饋
D.反相放大電路的等效輸入電阻為無(wú)窮大

4.單項(xiàng)選擇題

電路如圖所示，下列哪個(gè)選項(xiàng)是正確的？（）

A.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為0
B.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為R2
C.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為無(wú)窮大
D.從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻為R1