單項選擇題
如圖所示齊納(Zener)電路中,設齊納二極管的崩潰電壓為20V,則其通過的電流IZ等于()
A.0A
B.1A
C.2A
D.3A
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1.單項選擇題障壁電勢乃是其區(qū)域內(nèi)有()
A.電子
B.電洞
C.正離子及負離子
D.正負電壓
2.單項選擇題PN二極管接面附近所形成接觸(障壁)電位的極性是()
A.P端正,N端負
B.P端負,N端正
C.視偏壓而定
D.視溫度而定
3.單項選擇題有關(guān)外質(zhì)(摻雜)半導體的敘述,下列何者有誤?()
A.將三價雜質(zhì)元素摻入純半導體中,即形成P型材料
B.將五價雜質(zhì)元素摻入純半導體中,即形成N型材料
C.N型材料之多數(shù)載子為自由電子,P型材料之多數(shù)載子為電洞
D.純半導體比摻雜的半導體有更好的導電性
4.單項選擇題下列有關(guān)二極管的敘述,何者有誤?()
A.可以使用三用電表檢驗二極管的材質(zhì)
B.實驗中常用的二極管編號為2N4xxx系列
C.一般的二極管有記號或標注的那一端,通常為N極
D.鍺比硅有較小的障壁電壓(barrier-potential),更適合用在截波電路
5.單項選擇題一原子失去電子后,其游離后將變成()
A.不帶電
B.帶正電的離子
C.帶負電的離子
D.可能帶正電亦可能帶負電
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下列關(guān)于與門電路(AND Gate)的描述中,哪一項是正確的?()
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