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問答題將存放在內(nèi)部RAM20H-2FH單元的壓縮型BCD碼（高位在前）轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的ASCII碼，依次存放到外部RAM1000H開始的單元區(qū)中。

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1.問答題內(nèi)部RAM40H和41H單元中存放著2個0-9的ASCII碼（高位字節(jié)在前），請將其轉(zhuǎn)換為壓縮BCD碼（高位在前）并存入外部RAM2000H單元中。

2.問答題請編寫多字節(jié)無符號數(shù)減法程序。被減數(shù)存放在內(nèi)部RAM20H開始的8個單元中，減數(shù)存放在內(nèi)部RAM 30H開始的8個單元，請將差存放到外部RAM2000H開始的8個單元中，借位存放到OV標(biāo)志中。注意：所有數(shù)據(jù)均按照從低字節(jié)到高字節(jié)的順序存放。

參考答案：

3.問答題內(nèi)部RAM20H和30H開始的單元分別存放著16個16進(jìn)制數(shù)，請將對應(yīng)單元的內(nèi)容相加（不考慮溢出），并將和存入外部RAM2000H開始的單元中。

參考答案：

4.問答題將存放在內(nèi)部RAM30H-35H單元的壓縮型BCD碼轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的ASCII碼，依次存放到外部RAM2100H開始的單元區(qū)中。

參考答案：

5.問答題內(nèi)部RAM30H和31H單元中存放著2個0-9的ASCII碼（高位字節(jié)在前），請將其轉(zhuǎn)換為壓縮BCD碼（高位在前并存入外部RAM2300H單元中。

參考答案：