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問(wèn)答題 畫出下列FET的轉(zhuǎn)移特性曲線。
（1）U_P=－6V，I_DSS=1mA的MOSFET；
（2）U_T=8V，K=0.2mA/V²的MOSFET。

1.問(wèn)答題某MOSFET的I_DSS=10mA且U_P=－8V。（1）此元件是P溝道還是N溝道？（2）計(jì)算U_GS=－3V是的I_D；（3）計(jì)算U_GS=3V時(shí)的I_D。

2.問(wèn)答題 圖所示為場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線，分別判斷各場(chǎng)效應(yīng)管屬于何種類型（結(jié)型、絕緣柵型、增強(qiáng)型、耗盡型、N溝道或P溝道），說(shuō)明它的夾斷電壓U_p（或開啟電壓U_th）為多少。

A.JFET，P溝道U_p=3V；
B.耗盡型，N溝道FETU_p=－1.0V

3.問(wèn)答題 圖所示為場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)分別說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管各屬于何種類型。說(shuō)明它的開啟電壓U_th（或夾斷電壓U_p）約是多少。

A.N溝道耗盡型FETU_P=－3V；
B.P溝道增強(qiáng)型FETU_T=－4V；
C.P溝道耗盡型FETU_P=2V。

4.問(wèn)答題設(shè)三極管的參數(shù)為U_BE=0.7V，U_T=26mV，V_CC=9V，設(shè)計(jì)一個(gè)微電流源電路，使I_R=50μA，I_o=15μA。

5.問(wèn)答題設(shè)三極管的參數(shù)為U_BE=0.7V，β=100，V_CC=9V，設(shè)計(jì)一個(gè)輸出電流I_o=1.5mA的鏡像電流源。