單項(xiàng)選擇題材料燒結(jié)時(shí)，晶粒生長(zhǎng)是晶界移動(dòng)的結(jié)果，為保證晶粒正常生長(zhǎng)，應(yīng)控制晶界移動(dòng)速率Vb與氣孔移動(dòng)速率Vp，當(dāng)（）時(shí)，晶粒正常長(zhǎng)大。
A.Vb=Vp
B.Vb>Vp
C.Vb< Vp
D.二者沒(méi)有關(guān)系
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1.多項(xiàng)選擇題提高物料燒結(jié)活性的途徑有（）。
A.提高物料粒度
B.降低物料粒度
C.采用不同形式的母鹽及熱分解條件來(lái)制備活性氧化物
D.以上措施皆可
2.單項(xiàng)選擇題物料粒度越大，燒結(jié)速率（）；提高燒結(jié)溫度、延長(zhǎng)燒結(jié)時(shí)間、提高成型壓力一般會(huì)（）燒結(jié)。
A.越快；促進(jìn)
B.越快；阻礙
C.越慢；促進(jìn)
D.越慢；阻礙?
4.單項(xiàng)選擇題原始晶粒尺寸越小，二次再結(jié)晶速率（）；氣孔尺寸越小，二次再結(jié)晶速率（）。
A.越大；越大
B.越大；越小
C.越小；越大
D.越小；越小
5.單項(xiàng)選擇題晶粒長(zhǎng)大的平均速率與晶粒的起始粒徑成（），臨界晶粒尺寸與第二相雜質(zhì)的體積分?jǐn)?shù)成（）。
A.正比；正比
B.正比；反比
C.反比；正比
D.反比；反比
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