圖示二端電路中與理想電流源串聯(lián)的電阻R是()
A.對(duì)端口電流有影響
B.對(duì)端口電壓有影響
C.對(duì)IS兩端的電壓有影響
D.對(duì)端口電流與端口電壓均有影響
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下圖所示電路中,電流I為()
A.1A
B.0A
C.2A
D.-2A
A.雙端口網(wǎng)絡(luò)
B.對(duì)偶網(wǎng)絡(luò)
C.鏡像網(wǎng)絡(luò)
D.基本回路
A.雙端口網(wǎng)絡(luò)
B.節(jié)點(diǎn)
C.支路
D.基本回路
改造后求得()
A.A
B.B
C.C
D.D
A.電路元件
B.節(jié)點(diǎn)
C.支路
D.系數(shù)矩陣
最新試題
OP07集成運(yùn)放的封裝如圖所示,請(qǐng)問(wèn)哪種引腳排列是正確的?()
關(guān)于函數(shù)發(fā)生器,下列說(shuō)法正確的是()。
圖示電路的uS(t)=2cos(t+45°)V,則電壓uC(t)與電壓uS(t)的相位差等于()。
電路如圖所示,R1=10kΩ,R2=10kΩ,Rf=200kΩ,則該同相放大器的輸入電阻Ri=()。
圖示電路中,要使電流I增大到3I,則21Ω的電阻應(yīng)換為()。
?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是()。
?測(cè)量放大器靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí),以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
測(cè)試MOSFET放大電路放大倍數(shù)時(shí),通常不能采用以下哪種做法?()
一個(gè)1V直流電壓源對(duì)一階零狀態(tài)RC電路充電一個(gè)τ后,再放電一個(gè)τ,此時(shí)電容電壓為()。
關(guān)于毫伏表,下列說(shuō)法正確的是()。