填空題在關(guān)聯(lián)參考方向下，若計(jì)算出某元件上功率P＜0則稱該元件（）功率。
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測(cè)量電感元件的電壓電流相位關(guān)系時(shí)，為了獲得近似90°的電壓、電流波形相位差，信號(hào)源的頻率應(yīng)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于函數(shù)發(fā)生器，下列說法正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于毫伏表，下列說法正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
電路如圖所示，R1=10kΩ，R2=10kΩ，Rf=200kΩ，則該同相放大器的輸入電阻Ri=（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
測(cè)量電容元件的電壓電流相位關(guān)系時(shí)，示波器測(cè)量波形如圖所示，下面哪種說法正確？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
某RC低通濾波器的參數(shù)是R=100Ω、C=0.1μF，信號(hào)源內(nèi)阻是50Ω，測(cè)試幅頻特性的過程中，如果對(duì)信號(hào)的幅度不做任何調(diào)整，如下說法正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
圖示電路中，要使電流I增大到3I，則21Ω的電阻應(yīng)換為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
測(cè)試MOSFET放大電路放大倍數(shù)時(shí)，通常不能采用以下哪種做法？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如圖是MOSFET電路測(cè)試時(shí)晶體管毫伏表的截圖，以下更準(zhǔn)確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題