在如圖示電路中,已知L1=4mH,L2=9mH,M=3mH
(1)當開關(guān)S打開時,求ab端的等效電感L=()。
(2)當開關(guān)S閉合時,求ab端的等效電感L=()。
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A.i1+i2=n
B.i1/i2=n
C.i1/i2=-1/n
A.u1+u2=n
B.u1/u2=n
C.u1×u2=n
A.L1/L2=0
B.L1/L2=常數(shù)
C.L1/L2→∞
A.無損耗、全耦合
B.有損耗、全耦合
C.無損耗
A.L1→∞和L2→0
B.L1→∞和L2→∞
C.L1→0和L2→∞
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?N溝道增強型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是()。
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某RC低通濾波器的參數(shù)是R=100Ω、C=0.1μF,信號源內(nèi)阻是50Ω,測試幅頻特性的過程中,如果對信號的幅度不做任何調(diào)整,如下說法正確的是()。
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關(guān)于函數(shù)發(fā)生器,下列說法正確的是()。
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圖正弦穩(wěn)態(tài)電路,已知u(t)=10cos(t+15°)V,i(t)=2sin(t+45°)A則電路N吸收的平均功率P等于()。
根據(jù)一階RC低通濾波器的相頻特性公式,隨著頻率從低到高,相位差的正確變化規(guī)律是()。