多項選擇題()是Langmuir吸附模型的條件。

A.單層,定位
B.表面理想
C.吸附質(zhì)間無作用
D.達(dá)到平衡


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1.單項選擇題下列多相催化反應(yīng)步驟中()是物理步驟。

A.吸附
B.脫附
C.內(nèi)擴散
D.表面反應(yīng)

2.單項選擇題下列物質(zhì)有可能作為催化劑的是()

A.高嶺土
B.巖石
C.木炭
D.不銹鋼

3.多項選擇題晶體中存在下列()因素將導(dǎo)致晶體不是理想晶體。

A.點缺陷
B.縫隙原子
C.面缺陷
D.線缺陷

4.多項選擇題下面()可作為活性的表示方法。

A.轉(zhuǎn)化率
B.選擇性
C.反應(yīng)溫度
D.時空產(chǎn)率

5.多項選擇題金屬、載體間的強相互作用可導(dǎo)致()

A.H2吸附下降
B.氧化反應(yīng)速率下降
C.CO吸附下降
D.加氫反應(yīng)速率下降

最新試題

假設(shè)氣體A 2和B(壓力分別為PA和PB )在催化劑上的吸附服從Langmuir吸附模型:

題型:問答題

根據(jù)半導(dǎo)體的能帶理論,半導(dǎo)體的能帶可分為導(dǎo)帶, () ,() , 和 () 。 電子導(dǎo)電稱為 () 型半導(dǎo)體, 空穴導(dǎo)電成為 () 型半導(dǎo)體。 如果半導(dǎo)體中負(fù)離子缺位, 則為 () 型半導(dǎo)體。 P 型半導(dǎo)體( NiO) 上 CO 氧化反應(yīng), 若 CO 吸附生成正離子為決速步驟, 則在 NiO 中引入 () 離子有利于反應(yīng)性能的提高。

題型:填空題

試從位能曲線圖說明H2在金屬Ni 上經(jīng)由吸附使活化能下降的原理。

題型:問答題

對于金屬催化劑,其表面原子數(shù)占總原子數(shù)的百分比叫做()

題型:填空題

配位催化中的基元反應(yīng)主要有哪4類?

題型:問答題

根據(jù)所采用的吸附模型不同,吸附等溫式可分為:Langmuir 吸附等溫式,F(xiàn)reundlich 吸附等溫式,Tenkin 吸附等溫式。其中吸附熱Q 隨覆蓋度的增大呈指數(shù)下降的是Freundlich 吸附。吸附熱Q 隨覆蓋度的增加呈線性下降的是()吸附。Freundlich 吸附等溫式適用于()吸附;Tenkin 吸附等溫式適用于()吸附。

題型:填空題

丁烯氧化脫氫制丁二烯反應(yīng):CH 3-CH 2-CH 2=CH 2+1/2O 2→CH 2=CH 2-CH 2=CH 2+H 2O,由下列反應(yīng)步驟組成:①CH 3-CH 2-CH 2=CH 2+2Mo 6++O 2-(晶格)→CH 2=CH 2-CH 2=CH 2+2Mo 5++H 2O②2Bi 3++2Mo 5+→2Bi 2++2Mo 6+③2Bi 2++1/2O 2→2Bi 3++O 2-(晶格)試畫出其催化反應(yīng)循環(huán)。

題型:問答題

離子液體是指()。

題型:填空題

對于半導(dǎo)體,電子導(dǎo)電稱為()型半導(dǎo)體,空穴導(dǎo)電成為()型半導(dǎo)體。按其組成,半導(dǎo)體一般可分為()和()。如果半導(dǎo)體中的金屬離子被高價離子取代,則()型電導(dǎo)增加。如果吸附正離子化的氣體,則使P 型半導(dǎo)體的P 型導(dǎo)電能力()。

題型:填空題

晶體是 ();對于立方晶體, 其晶胞尺寸為 a, 若一晶面與 X、 Y 和 Z 軸相交, 截距分別為 a,2a 和 a, 該晶面的米勒指數(shù)為 ()。

題型:填空題