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問(wèn)答題 設(shè)在半徑為R_c的圓盤(pán)中心法線(xiàn)上，距盤(pán)圓中心為l₀處有一個(gè)輻射強(qiáng)度為I_e的點(diǎn)源S，如圖所示。試計(jì)算該點(diǎn)源發(fā)射到盤(pán)圓的輻射功率。

1.問(wèn)答題 某雙列兩相2048像元線(xiàn)陣CCD，其轉(zhuǎn)移損失率ε為10^-5，試計(jì)算其電荷轉(zhuǎn)移效率η和電荷傳輸效率
。

2.問(wèn)答題現(xiàn)有GDB-423型光電倍增管的光電陰極面積為2cm²，陰極靈敏度Sk為25μA/lm，倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù)為10⁵，陽(yáng)極額定電流為20μA，求允許的最大光照。

3.問(wèn)答題 用Cds光敏電阻控制繼電器。靈敏度，繼電器線(xiàn)圈電阻是4kΩ，吸合電流是2mA，使繼電器吸合所需的最小照度是多少？若使繼電器在200lx時(shí)吸合，則需改變線(xiàn)圈電阻，問(wèn)此事繼電器電阻最大為多少？（弱光照條件）

4.問(wèn)答題一塊半導(dǎo)體樣品，有光照時(shí)電阻為50歐姆，無(wú)光照時(shí)電阻為5000歐姆，求該樣品的光電導(dǎo)。

5.問(wèn)答題探測(cè)器的D*=10¹¹cm·HZ^1/2/W，探測(cè)器光敏器的直徑為0.5cm，用于f=5*10³Hz的光電儀器中，它能探測(cè)的最小輻射功率為多少？