填空題阻尼塊也稱吸收塊，粘附在壓電芯片背面，其作用是阻止芯片的（）和吸收芯片背面（）的聲能，從而減少（）和（）干擾。
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1.單項選擇題在同一固體材料中，縱、橫波聲速之比與材料的（）有關(guān)。
A.密度
B.彈性模量
C.泊松比
D.以上全部
2.單項選擇題超聲波傳播過程中，遇到尺寸與波長相當?shù)恼系K物時將發(fā)生（）。
A.只繞射不反射
B.既繞射又反射
C.無繞射只反射
3.單項選擇題當溫度升高時，水的聲阻抗將（）。
A.不變
B.增大
C.變小
D.無規(guī)律變化
4.單項選擇題用X射線透照檢驗，管電流5mA，6分鐘得到合格底片，其它條件不變，管電流增加為10mA，曝光時間為（）分鐘。
A.12
B.6
C.3
D.15
5.單項選擇題超聲波傾斜入射至異質(zhì)接口時，反射波與透過波聲能的分配比例取決于（）。
A.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲速
B.界面兩側(cè)介質(zhì)的衰減系數(shù)
C.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲阻抗
最新試題
無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當大的差異。
題型：判斷題
超聲波在圓柱內(nèi)反射，如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換，且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波，返回探頭接收，會形成等邊的三角形遲到回波。
題型：判斷題
對于圓柱體而言，外圓徑向檢測實心圓柱體時，入射點處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
題型：判斷題
在檢測晶粒粗大和大型工件時，應(yīng)測定材料的衰減系數(shù)，計算時應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
題型：判斷題
對于比正?？v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。
題型：判斷題
當探頭的性能不佳時出現(xiàn)兩個主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時很難判斷是哪個主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實際位置。
題型：判斷題
橫波檢測平板對接焊縫根部未焊透等缺陷時，不同K值探頭檢測同一根部缺陷，其回波高相差不大。
題型：判斷題
動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
題型：判斷題
缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準反射體聲壓之比。
題型：判斷題
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。
題型：判斷題