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填空題假設(shè)所討論的空間存在兩種不同的介質(zhì)，其磁導(dǎo)率分別為μ₁和μ₂。在兩個介質(zhì)分界面上靜磁場所滿足的邊界條件為（）、（）。

1.填空題磁感應(yīng)強(qiáng)度B和矢量磁位A的關(guān)系為（），分布在空間V’內(nèi)的電流密度為Jc（r’）的電流在空間一點(diǎn)r所產(chǎn)生的矢量磁位為（）。

▽*A=B；

2.填空題在靜電場中，電場強(qiáng)度E和標(biāo)量電位φ之間的相互關(guān)系為（）。電場強(qiáng)度沿任意一閉合曲線積分等于（）。因此靜電場是（）場。

3.填空題靜電場的電場強(qiáng)度為E，電場存在區(qū)域內(nèi)介質(zhì)的介電常數(shù)為ε，該靜電場的能量密度為w_e=（），整個區(qū)域靜電場所儲存的能量為W_e=（）。

；

4.填空題真空中，點(diǎn)電荷q在距其R處的場點(diǎn)p處所產(chǎn)生的的電場強(qiáng)度E=（）；假設(shè)無限遠(yuǎn)處電位為零，在p點(diǎn)處標(biāo)量電位φ=（）。

；

5.填空題靜電場中麥克斯韋方程組的微分形式是為（）、（）；恒定磁場中麥克斯韋方程組的微分形式是（）、（）。