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問答題 銻化銦的禁帶寬度Eg=0.18eV，相對介電常數(shù)ε_r=17，電子的有效質(zhì)量m_n^*=0.015m₀， m₀為電子的慣性質(zhì)量，求
①施主雜質(zhì)的電離能
②施主的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑。

1.問答題舉例說明雜質(zhì)補(bǔ)償作用。

2.問答題以Ga摻入Ge中為例，說明什么是受主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)電離過程和p型半導(dǎo)體。

3.問答題以As摻入Ge中為例，說明什么是施主雜質(zhì)、施主雜質(zhì)電離過程和n型半導(dǎo)體。

4.問答題實(shí)際半導(dǎo)體與理想半導(dǎo)體間的主要區(qū)別是什么？

5.問答題 一維晶體的電子能帶可寫為，式中a為晶格常數(shù)，試求
能帶頂部空穴的有效質(zhì)量m_p^*