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問(wèn)答題某摻施主雜質(zhì)的非簡(jiǎn)并Si樣品，試求E_F=（E_C+E_D）/2時(shí)施主的濃度

參考答案：

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1.問(wèn)答題Si樣品中的施主濃度為4.5×10¹⁶cm^-3，試計(jì)算300K時(shí)的電子濃度和空穴濃度各為多少？

參考答案：

2.問(wèn)答題試分別計(jì)算本征Si在77K、300K和500K下的載流子濃度。

參考答案：

3.問(wèn)答題含受主濃度為8.0×10⁶cm^-3和施主濃度為7.25×10¹⁷cm^-3的Si材料，試求溫度分別為300K和400K時(shí)此材料的載流子濃度和費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位置。

參考答案：

4.問(wèn)答題若兩塊Si樣品中的電子濃度分別為2.25×10¹⁰cm^-3和6.8×10¹⁶cm^-3，試分別求出其中的空穴的濃度和費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位置，并判斷樣品的導(dǎo)電類型。假如再在其中都摻入濃度為2.25×10¹⁶cm^-3的受主雜質(zhì)，這兩塊樣品的導(dǎo)電類型又將怎樣？

參考答案：

5.問(wèn)答題何謂雜質(zhì)補(bǔ)償？雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)囊饬x何在？

參考答案：當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主又有受主時(shí)，施主和受主將先互相抵消，剩余的雜質(zhì)最后電離，這就是雜質(zhì)補(bǔ)償。
利用雜質(zhì)補(bǔ)償效應(yīng)，...

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