問(wèn)答題光均勻照射在6Ω·cm的n型Si樣品上,電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為4×1021cm-3s-1,樣品壽命為8μs。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。

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