問(wèn)答題光均勻照射在6Ω·cm的n型Si樣品上,電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為4×1021cm-3s-1,樣品壽命為8μs。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。
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測(cè)得以硅三極管的基極電壓為-1.7V,發(fā)射極電壓為-1V,集電極電壓為-5V,則該管為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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I-V特性曲線(xiàn)和負(fù)載線(xiàn)的交叉點(diǎn)叫做()
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β是()的比值。
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硅三極管的飽和壓降為()。
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當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)加正偏、集電結(jié)加反偏時(shí),它呈現(xiàn)的主要特性是正向受控作用,此時(shí)的工作模式稱(chēng)為()模式。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題