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填空題在一定溫度下，與費(fèi)米能級持平的量子態(tài)上的電子占據(jù)概率為（），高于費(fèi)米能級2kT能級處的占據(jù)概率為（）。

1.填空題半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于（）方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處，因此屬于（）半導(dǎo)體。

2.填空題兩種不同半導(dǎo)體接觸后，費(fèi)米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶（）電，達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級（）。

3.填空題半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的（）（即量子態(tài)按能量如何分布）和（）（即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布）。

4.問答題試證明在小信號條件下，本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長。

5.問答題假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4μm內(nèi)的濃度差為2×10¹⁶cm^-3，試計(jì)算空穴的擴(kuò)散電流密度。