問(wèn)答題對(duì)于摻雜的元素半導(dǎo)體Si、Ge中，一般情形下對(duì)載流子的主要散射機(jī)構(gòu)是什么？寫出其主要散射機(jī)構(gòu)所決定的散射幾率和溫度的關(guān)系。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)要說(shuō)明載流子有效質(zhì)量的定義和作用。
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)要說(shuō)明pn結(jié)空間電荷區(qū)如何形成？
3.問(wèn)答題什么叫復(fù)合中心？何謂間接復(fù)合過(guò)程？有哪四個(gè)微觀過(guò)程？試說(shuō)明每個(gè)微觀過(guò)程和哪些參數(shù)有關(guān)。
5.單項(xiàng)選擇題一般可以認(rèn)為，在溫度不很高時(shí)，能量大于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上（），而能量小于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上為（），而電子占據(jù)費(fèi)米能級(jí)的概率在各種溫度下總是（），所以費(fèi)米能級(jí)的位置比較直觀地標(biāo)志了電子占據(jù)量子態(tài)的情況，通常就說(shuō)費(fèi)米能級(jí)標(biāo)志了電子填充能級(jí)的水平。
A. 沒有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/2
B. 電子所占據(jù)，沒有被電子占據(jù)，1/2
C. 沒有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/3
D. 電子所占據(jù)，沒有被電子占據(jù)，1/3
最新試題
負(fù)載線是一條描述（）的曲線。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)加正偏、集電結(jié)加反偏時(shí)，它呈現(xiàn)的主要特性是正向受控作用，此時(shí)的工作模式稱為（）模式。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
已知某三極管的射極電流IE=1.36mA，集電極電流IC=1.33mA，則基極電流IB=（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
處于飽和狀態(tài)的晶體管可通過(guò)（）鑒別。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PNP型晶體管中，N型區(qū)是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
若三極管各電極對(duì)地的電位是VB=-2.3V，VC=-7V，VE=-2V，則該三極管的工作狀態(tài)是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
NPN型晶體管中，N型區(qū)是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
NPN型晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，基極應(yīng)當(dāng)（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
測(cè)得以硅三極管的基極電壓為-1.7V，發(fā)射極電壓為-1V，集電極電壓為-5V，則該管為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在某電路中，測(cè)得晶體管三個(gè)管腳間的電壓值分別為：VBE=-0.2V，VEC=5V，VBC=4.8V，則此晶體管的類型和材料分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題