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問答題試用一維非均勻摻雜（摻雜濃度隨x的增加而下降）的非簡并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛因斯坦關(guān)系：

1.問答題 設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，
導(dǎo)帶極小值附近的能量
價帶極大值附近
式中m為電子質(zhì)量，
求出導(dǎo)帶底的電子躍遷到價帶頂時準(zhǔn)動量的改變量，能量的改變量。

2.問答題 設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，
導(dǎo)帶極小值附近的能量
價帶極大值附近
式中m為電子質(zhì)量，
求出導(dǎo)帶底電子的有效質(zhì)量和價帶頂空穴的有效質(zhì)量。

3.問答題 設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，
導(dǎo)帶極小值附近的能量
價帶極大值附近
式中m為電子質(zhì)量，
求禁帶寬度Eg。

4.問答題布洛赫定理是什么意思？

5.問答題比較說明施主能級、復(fù)合中心和陷阱在半導(dǎo)體中的作用及其區(qū)別。