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填空題電阻性負載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于（），晶閘管控制角α的最大移相范圍是（），使負載電流連續(xù)的條件為（）（U2為相電壓有效值）。

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1.填空題單相全控橋反電動勢負載電路中，當控制角α大于不導電角δ時，晶閘管的導通角θ=（）；當控制角α小于不導電角δ時，晶閘管的導通角θ=（）。

2.填空題單相橋式全控整流電路中，帶純電阻負載時，α角移相范圍為（），單個晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為（）和（）；帶阻感負載時，α角移相范圍為（），單個晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為（）和（）；帶反電動勢負載時，欲使電阻上的電流不出現斷續(xù)現象，可在主電路中直流輸出側串聯一個（）。

參考答案：0-180°；√2U₂/2；√2U₂；0-90°；√2U₂；√2U₂；平波電抗器

3.填空題阻感負載的特點是_流過電感的電流不能突變，在單相半波可控整流帶阻感負載并聯續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是（），其承受的最大正反向電壓均為（），續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為（）（設U2為相電壓有效值）。

參考答案：流過電感的電流不能突變；0-180°；√2U₂；√2U₂

4.填空題電阻負載的特點是（），在單相半波可控整流電阻性負載電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是（）。

參考答案：電壓和電流成正比且波形相同；0-180°

5.填空題在如下器件：電力二極管（Power Diode）、晶閘管（SCR）、門極可關斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場效應管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）中，屬于不可控器件的是（），屬于半控型器件的是（），屬于全控型器件的是（）；屬于單極型電力電子器件的有（），屬于雙極型器件的有（），屬于復合型電力電子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作頻率最高的是（），屬于電壓驅動的是電力（）屬于電流驅動的是（）。

參考答案：電力二極管；晶閘管；GTO、GTR、電力MOSFET、IGBT；電力MOSFET；電力二極管、晶閘管、GTO、GTR；I...

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