單項(xiàng)選擇題探頭晶片尺寸（），近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度增加，對(duì)近表面探傷不利。

A、增加
B、減小
C、不變


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1.單項(xiàng)選擇題雙晶探頭用于探測(cè)工件（）缺陷。

A、近表面
B、表面
C、內(nèi)部
D、平面形

2.單項(xiàng)選擇題探傷儀主要指標(biāo)中的動(dòng)態(tài)范圍和電路中的（）關(guān)聯(lián)較大。

A、電源部分
B、顯示部分
C、接收部分
D、發(fā)射部分

4.單項(xiàng)選擇題（）不是串聯(lián)式充電器的優(yōu)點(diǎn)。

A、電路簡(jiǎn)單
B、元件少
C、適應(yīng)范圍小
D、適應(yīng)范圍大

5.單項(xiàng)選擇題用于放大作用的集成電路是（）。

A、AD8011
B、CD4047
C、AD603
D、CD4017