單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之問。常用的半導(dǎo)體材料有:硅(Si)和鍺(Ge)。原子結(jié)構(gòu)的最外層軌道上有()個(gè)價(jià)電子。
A.2
B.3
C.4
D.5
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1.單項(xiàng)選擇題歐姆定律表示通過電阻的電流與電阻兩端所加的電壓成正比,與()成反比。
A.電阻的電功率
B.電源的電動(dòng)勢
C.電流所做的功
D.電阻值
2.單項(xiàng)選擇題兩個(gè)8kΩ電阻并聯(lián),其等效電阻為()。
A.2kΩ
B.4kΩ
C.3kΩ
D.8kΩ
3.單項(xiàng)選擇題()表示通過電阻的電流與電阻兩端所加的電壓成正比,與電阻成反比。
A.基爾霍夫電流定律
B.基爾霍夫電壓定律
C.歐姆定律
D.楞次定律
4.單項(xiàng)選擇題兩個(gè)4kΩ電阻并聯(lián),則其等效電阻為()。
A.2kΩ
B.4kΩ
C.3kΩ
D.6kΩ
5.單項(xiàng)選擇題用外力把()從A端移到B端所做的功與被移動(dòng)的電荷的比值,稱為A、B兩端間的電動(dòng)勢。
A.電荷
B.正電荷
C.負(fù)電荷
D.電子
最新試題
任何類型的元器件都能通過()三種主要端子進(jìn)行制作與之連接。
題型:多項(xiàng)選擇題
IGBT是三端器件,有()三個(gè)級。
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常用繼電器屬于反應(yīng)電量分類的有()。
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屏蔽層剝線要求是()。
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題型:多項(xiàng)選擇題
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題型:多項(xiàng)選擇題
熄滅電弧的主要手段是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
插入式線號套管標(biāo)識的實(shí)驗(yàn)方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題