A、粗粒膠片改為微粒膠片
B、底片黑度從1.5增大到3.0;
C、影像寬度從0.2mm增大到0.3mm
D、底片透射光的亮度從30cd/m2增大到100cd/m2
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A、12.5
B、74
C、26
D、37.5
A、25
B、70
C、41
D、30
A、當(dāng)缺陷尺寸小于射源尺寸時(shí),才需要引入σ對(duì)底片對(duì)比度進(jìn)行修正
B、σ值越小,幾何條件對(duì)底片對(duì)比度的影響越大
C、為提高σ值而改變透照布置,常用的方法是增大焦距
D、為提高底片對(duì)比度,應(yīng)盡量采用σ>1的透照布置
A、射源尺寸
B、射源到缺陷的距離
C、缺陷到膠片的距離
D、缺陷相對(duì)于射源和膠片的位置和方向
A、影像放大率Mf數(shù)越小,因而缺陷越難發(fā)現(xiàn)
B、影像放大率Mf數(shù)越大,而缺陷越難觀察
C、形狀修正系數(shù)σ越大,因而缺陷檢出率越低
D、以上都不是
最新試題
關(guān)于聲波的指向性和指向角,正確的是()
與直探頭相比,雙晶探頭()
關(guān)于超聲波斜入射,下列說(shuō)法正確的是()
脈沖反射法A型顯示取得缺陷信息是根據(jù)()
磁力線有哪些特征?
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散射比的大小與()因素有關(guān)。
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