最新試題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？
題型：問答題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：問答題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項選擇題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
版圖設(shè)計的基本前提是什么？
題型：問答題