問(wèn)答題簡(jiǎn)述3.0μm CMOS集成電路工藝技術(shù)工藝流程。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CMP技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。
2.名詞解釋化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是硅化物及其作用。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述銅互連的優(yōu)點(diǎn)及采取的工藝措施。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電遷移現(xiàn)象及解決方法。
最新試題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}