A.20分鐘
B.底片通透即可
C.通透時(shí)間的2倍
D.30分鐘
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A.使未曝光的溴化銀粒子脫落;
B.驅(qū)除附在底片表面的氣孔,使顯影均勻,加快顯影;
C.使曝過光的溴化銀加速溶解;
D.以上全是。
A.環(huán)縫雙壁單影透照,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
B.環(huán)縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
C.縱縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在射源側(cè);
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間;
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距;
D.底片黑度、曝光量、焦距。
A.較高電壓、較短時(shí)間;
B.較高電壓、較長(zhǎng)時(shí)間;
C.較低電壓、較短時(shí)間;
D.較低電壓、較長(zhǎng)時(shí)間。
A.提高橫向裂紋檢出率;
B.減小幾何不清晰度;
C.增大厚度寬容度;
D.提高底片對(duì)比度。
最新試題
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
為了提高射線照相對(duì)比度,可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。
對(duì)于圓柱導(dǎo)體的外通過式線圈,其阻抗變大的情況有()
對(duì)含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無遺留問題方可進(jìn)行試壓。
探傷人員在透視間內(nèi)發(fā)現(xiàn)輻射正在進(jìn)行應(yīng)立即()。
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。
補(bǔ)焊次數(shù)的界定由工藝、檢驗(yàn)負(fù)責(zé),對(duì)兩個(gè)補(bǔ)焊區(qū)交界部位補(bǔ)焊次數(shù)的界定,需要通過底片觀察提供幫助時(shí),X光室應(yīng)予以配合。