單項(xiàng)選擇題

某一靜電場(chǎng)內(nèi)的電力線如圖A-22所示,()點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度最大。

A.a;
B.b;
C.c;
D.d。


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1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中空穴電流是由()。

A.價(jià)電子填補(bǔ)空穴所形成的;
B.自由電子填補(bǔ)空穴所形成的;
C.自由電子定價(jià)運(yùn)動(dòng)所形成的;
D.價(jià)電子的定向運(yùn)動(dòng)所形成的.

2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體三極管工作過(guò)程中()。

A.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大于基區(qū)雜質(zhì)濃度;
B.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度小于基區(qū)雜質(zhì)濃度;
C.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度等于基區(qū)雜質(zhì)濃度;
D.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大于集電區(qū)雜質(zhì)濃度。

4.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)空間電荷區(qū)是()。

A.電子和空穴構(gòu)成;
B.正電荷和負(fù)電荷構(gòu)成;
C.施主離子;
D.施主雜質(zhì)原子和受主雜質(zhì)原子構(gòu)成。

5.單項(xiàng)選擇題用萬(wàn)用表測(cè)量半導(dǎo)體二極管時(shí),萬(wàn)用表電阻擋應(yīng)調(diào)到()。

A.R×1擋;
B.R×100擋;
C.R×100k擋;
D.R×10擋。