單項選擇題硅微體刻蝕加工和硅微面刻蝕加工的區(qū)別在于（）。
a.體刻蝕加工對基體材料進行加工，而面刻蝕加工不對襯底材料進行加工；
b.體刻蝕加工不對基體材料進行加工，而面刻蝕加工對襯底材料進行加工；
c.體刻蝕加工可獲得高縱橫比的結(jié)構(gòu)，而面刻蝕加工只能獲得較低縱橫比的結(jié)構(gòu)；
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1.單項選擇題光刻加工采用的曝光技術(shù)中具有最高分辨率的是（）。
A.電子束曝光技術(shù)
B.離子束曝光技術(shù)
C.X射線曝光技術(shù)
2.單項選擇題光刻加工的工藝過程為：（）
A.①氧化②沉積③曝光④顯影⑤還原⑦清洗
B.①氧化②涂膠③曝光④顯影⑤去膠⑦擴散
C.①氧化②涂膠③曝光④顯影⑤去膠⑦還原
3.單項選擇題在進行納米級測量非導體的零件表面形貌時，常采用的測量儀器為（）。
A.光學顯微鏡
B.掃描隧道顯微鏡
C.原子力顯微鏡
4.單項選擇題FMS非常適合（）。
A.大批大量生產(chǎn)方式
B.品種單一、中等批量生產(chǎn)方式
C.多品種、變批量生產(chǎn)方式
5.單項選擇題計算機集成制造技術(shù)強調(diào)（）。
A.企業(yè)的經(jīng)營管理
B.企業(yè)的虛擬制造
C.企業(yè)的功能集成