A.同一個(gè)小區(qū)的所有鄰區(qū)中不能有相同的PCI
B.相鄰的兩個(gè)小區(qū)PCI不能相同
C.鄰小區(qū)CRS盡量在頻域上分開(kāi)
D.同頻鄰小區(qū)PCI無(wú)需考慮MOD3或MOD6的限制,任意分配即可
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A.建立默認(rèn)的EPS承載
B.建立專(zhuān)屬的EPS承載
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D.S5接口上為GTP和PMIP協(xié)議的承載層建立
A.光纖頭子受污染
B.光纖長(zhǎng)度過(guò)長(zhǎng)
C.光纖走纖時(shí)曲率半徑過(guò)大
D.光模塊類(lèi)型不匹配
A.仿真柵格電平預(yù)測(cè)值
B.ATU數(shù)據(jù)
C.MR數(shù)據(jù)
D.話(huà)統(tǒng)
A.模式1
B.模式3
C.模式5
D.模式7
A.eNodeB
B.MME
C.PGW
D.HSS
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OFDM系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)發(fā)射流程模型中,不包括()。
LTE中,OFDM會(huì)產(chǎn)生較低的PAPR,所以上行采用SC-FDMA而不是OFDMA。
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以下描述中,關(guān)于ICIC技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
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