單項(xiàng)選擇題放射性物質(zhì)原子數(shù)衰變到原來()所需的時(shí)間稱為半衰期。
A.1/2
B.1/4
C.1/3
D.1/5
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1.單項(xiàng)選擇題放射性同位素衰變時(shí),同位素的原子核以()方式蛻變。
A.粒子發(fā)射
B.K俘獲
C.淹滅輻射
D.A和B
2.單項(xiàng)選擇題射線探傷的基本原理是利用射線穿透物質(zhì)時(shí)()產(chǎn)生的物理作用。
A、射線能量的衰減
B、射線強(qiáng)度的衰減
C、射線性質(zhì)的轉(zhuǎn)換
D、以上都是
3.單項(xiàng)選擇題原子核外電子能級(jí)最高的是()。
A.外殼層
B.中間殼層
C.內(nèi)殼層
D.以上均不是
4.單項(xiàng)選擇題對連續(xù)X射線的強(qiáng)度與靶材的原子序數(shù)關(guān)系的敘述正確的是()。
A.強(qiáng)度與原子序數(shù)成正比
B.強(qiáng)度與原子序數(shù)不成正比
C.強(qiáng)度與原子序數(shù)成反比
D.強(qiáng)度與原子序數(shù)的平方成正比
5.單項(xiàng)選擇題射線探傷中用得最多的方法是()。
A.焊縫
B.鑄件
C.封閉物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
D.以上都對
最新試題
以下關(guān)于內(nèi)力和應(yīng)力的敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
題型:單項(xiàng)選擇題
曝光量和管電壓隨材料厚度變化的曲線是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
運(yùn)動(dòng)、幾何因素和增感屏的接觸情況,這三種因素影響射線照相的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
熒光磁粉顯示應(yīng)在()光線下檢驗(yàn)。
題型:單項(xiàng)選擇題
以下防止結(jié)晶裂紋的措施的敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
題型:單項(xiàng)選擇題
堿性焊條烘烤溫度一般要求()
題型:單項(xiàng)選擇題
連續(xù)譜射線穿透一定厚度的物體后,其發(fā)生的變化之一是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
用高能射線設(shè)備探傷時(shí),增大焦距的主要目的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
按照放射衛(wèi)生防護(hù)基本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,對于X射線和γ射線工作人員的年照射劑量不得超過()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在國際單位制中,常用()表示磁場強(qiáng)度。
題型:單項(xiàng)選擇題