A.EIA/TIA-232DCE
B.EIA/TIA-232DTE
C.EIA/TIA-422DCE
D.EIA/TIA-422DTE
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A.1
B.5
C.15
D.取決于系統(tǒng)內(nèi)存大小
A.display vpn-instance vpnname routing-table
B.display ip routing-table vpn-instance vpnname
C.display routing-table vpn-instance vpnname
D.display bgprouting-table vpn-instance vpnname
A.1+1
B.1+3
C.3+1
D.2+2
A.8個(gè)業(yè)務(wù)槽位,最大端口容量160G(雙向)
B.8個(gè)業(yè)務(wù)槽位,最大端口容量320G(雙向)
C.16個(gè)業(yè)務(wù)槽位,最大端口容量320G(雙向)
D.16個(gè)業(yè)務(wù)槽位,最大端口容量640G(雙向)
A.直接插拔
B.按OFL鍵,等紅燈亮起再拔
C.整機(jī)下電后再拔線路板
D.通過(guò)resetslotnumber后再拔插
最新試題
DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測(cè)器主要有PIN管和APD管兩種,對(duì)APD管來(lái)說(shuō),其接收光功率過(guò)載點(diǎn)為()dBm。
下面哪塊單板不提供MON口用于在線光信號(hào)檢測(cè):()
捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式()進(jìn)行觸發(fā)。
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。()
M40單板上產(chǎn)生了MUT-LOS告警,關(guān)于處理此告警說(shuō)法正確的是:()
晶體管能夠放大的外部條件是()。
為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應(yīng)該用哪種濾波器?()
中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上?()
一空氣平行板電容器,兩級(jí)間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開,在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
關(guān)于FIU板的描述正確的有:()