單項(xiàng)選擇題（）是用電容來存儲寫入的內(nèi)容，由于電容要放電，為了維持寫入的內(nèi)容不變，必須對它進(jìn)行重復(fù)的讀出和寫入操作，即要有刷新電路配合使用

A、靜態(tài)RAM
B、動態(tài)RAM
C、靜態(tài)ROM
D、靜態(tài)ROM


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1.單項(xiàng)選擇題（）是用D型觸發(fā)器來存儲寫入的內(nèi)容，除非寫入新的內(nèi)容或電源關(guān)斷，它的內(nèi)容可以保持不變

A、靜態(tài)RAM
B、動態(tài)RAM
C、靜態(tài)ROM
D、靜態(tài)ROM

2.單項(xiàng)選擇題隨機(jī)讀寫存儲器分為（）

A、靜態(tài)ROM和動態(tài)ROM
B、靜態(tài)RAM和動態(tài)ROM
C、靜態(tài)ROM和動態(tài)RAM
D、靜態(tài)RAM和動態(tài)RAM

3.單項(xiàng)選擇題EEPROM是電擦除可編程只讀存儲器的縮寫，它的內(nèi)容也由用戶寫入，（）

A、是用戶用編程器一次性寫入的，不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除，反復(fù)多次地擦除和寫入
C、在寫入新的內(nèi)容時(shí)，原來的內(nèi)容會自動清除，允許反復(fù)多次寫入
D、在其制造過程中確定，不允許再改變

4.單項(xiàng)選擇題PROM是可編程只讀存儲器的縮寫，它的內(nèi)容（）

A、是用戶用編程器一次性寫入的，不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除，反復(fù)多次地擦除和寫入
C、在寫入新的內(nèi)容時(shí)，原來的內(nèi)容會自動清除，允許反復(fù)多次寫入
D、在其制造過程中確定，不允許再改變

5.單項(xiàng)選擇題ROM又稱掩膜只讀存儲器，它存儲的內(nèi)容（）

A、是用戶用編程器一次性寫入的，不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除，反復(fù)多次地擦除和寫入
C、在寫入新的內(nèi)容時(shí)，原來的內(nèi)容會自動清除，允許反復(fù)多次寫入
D、在其制造過程中確定，不允許再改變