問答題造成相同的x射線機曝光曲線不完全相同的原因是什么?
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最新試題
寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。
題型:問答題
通過一次線圈的交流電產(chǎn)生一個磁場并在棒材中產(chǎn)生渦流,二次線圈的電壓取決于()。
題型:單項選擇題
簡述滲透探傷方法的選擇原則。
題型:問答題
當(dāng)激勵電壓加于一次繞組時,只有磁通量是同相的,且二次磁通量較小。當(dāng)試驗物體插入該線圈時,將發(fā)生什么情況()。
題型:單項選擇題
新置的Ir192γ射線源,其活度為40Ci,現(xiàn)今時隔300天,已知,Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度?該源新置時,對某工件進行射線照相的曝光時間為4min,若所有條件不變,現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘?
題型:問答題
什么叫做試驗線圈的視在阻抗?它在渦流檢測中有何作用?
題型:問答題
JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定磁軛的磁極間距應(yīng)控制在()。
題型:單項選擇題
渦流的響應(yīng)()。
題型:單項選擇題
散射線忽略不計,當(dāng)平板透照厚度的減薄量相當(dāng)于半價層的1/×?xí)r,則膠片接受的射線照射量將增大百分之幾?
題型:問答題
下面哪種是圍繞線圈在導(dǎo)體中感應(yīng)出的渦流的一個性質(zhì)()。
題型:單項選擇題