填空題晶體硅片蝕刻清洗的生產(chǎn)工藝有酸性蝕刻和堿性蝕刻兩種,其中酸性蝕刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸當(dāng)緩沖劑,一般去除約10-20µm厚的表面層。

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3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多晶硅和非晶硅電池,以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是()

A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中,只有注入的少子存在很大的濃度梯度,因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對(duì)可見(jiàn)光譜的吸收很強(qiáng),是晶硅的500倍,整個(gè)太陽(yáng)光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍,因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的,因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比,非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)(S-W效應(yīng)),但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。

4.單項(xiàng)選擇題非晶硅太陽(yáng)能電池的基本構(gòu)造是下列的哪種?()

A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

5.單項(xiàng)選擇題單晶硅電池的制造工藝主要流程為()

A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極

最新試題

光伏發(fā)電系統(tǒng)中,蓄電池放電深度一般為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

以下太陽(yáng)能電池片的制造工序中,以減少光的反射為目的的工序是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

()的導(dǎo)帶和價(jià)帶重疊在一起,不存在禁帶,在一切條件下具有良好的導(dǎo)電性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光伏系統(tǒng)在沒(méi)有任何外來(lái)能源的情況下負(fù)載仍能正常工作的天數(shù)稱(chēng)為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

太陽(yáng)電池組件封裝使用最廣的黏結(jié)劑是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

正弦脈寬調(diào)制技術(shù)(SPWM)是通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制,使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖,用這些脈沖來(lái)代替正弦波或其他所需要的波形。

題型:判斷題

多晶硅光伏電池的效率()非晶硅電池。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

制作太陽(yáng)電池組件時(shí),根據(jù)電池組件所需的()確定單片太陽(yáng)電池的串聯(lián)數(shù)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光伏系統(tǒng)中使用的蓄電池有多種,在較大的系統(tǒng)中考慮到技術(shù)成熟性和成本等因素,通常使用()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

太陽(yáng)內(nèi)部最里層是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題