填空題結(jié)晶硅的理論極限為(),其研究階段為(),大量生產(chǎn)規(guī)模為18%—20%。
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()是覆蓋在電池正面的上蓋板材料,構(gòu)成太陽能電池組件的最外層。
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()是多晶硅生產(chǎn)過程中最大的有害副產(chǎn)物,它是一種具有強(qiáng)腐蝕性的有毒有害液體。
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太陽內(nèi)部最里層是()。
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一般來講,方陣朝向()時(shí),太陽能電池發(fā)電量是最大。
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光伏控制器的功能不包括()
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地球只能接收到太陽總輻射能量的()分之一。
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半導(dǎo)體中的價(jià)電子必須獲得一定的能量被激發(fā)到()才具有導(dǎo)電能力。
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對太陽電池組件的技術(shù)要求,表述錯(cuò)誤的是()
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制作太陽電池組件時(shí),根據(jù)電池組件所需的()確定單片太陽電池的串聯(lián)數(shù)。
題型:單項(xiàng)選擇題
硅太陽能電池輸出電壓的極性為()
題型:單項(xiàng)選擇題