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填空題干式法由于應(yīng)力自由，因此即可以適用于切割大面積基片，又可以適用于（）的過程。

1.填空題多晶硅表面的結(jié)晶面是多重的，因此不能像單晶硅基片那樣，使用（）的不同方向腐蝕的化學(xué)蝕刻方法。

2.填空題由于有漏電電流流動，使所謂的反向飽和電流密度（），從而減少了開路電壓。

3.填空題目前世界上，用鑄造法制造基片得到的小面積電池片的最高轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到（）。

4.填空題干式法由于應(yīng)力自由，因此既可以適用于切割（）基片，又可以適用于高效率的過程。

5.填空題由表面蝕刻結(jié)構(gòu)所形成的（）的提高，是高效率所不可缺少的。