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填空題GaAs以及InP的禁帶寬度分別為（）；（），與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。

1.填空題太陽能單一結電池片可以分為（）；（）、雙異質性結構、傾斜禁帶寬度型、異質結構、短鍵位壘型、量子阱結構超晶格結構、Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。

2.填空題在同質結結構中，為了得到20%以上的高效率，必須讓結合深度在（）以下的淺層處，因此在異質表面結構中，通入插入寬禁帶寬度的窗層，增加結合深度高定的自由度，就可以實現(xiàn)高效率。

3.填空題通過采用MQW結構，電流值可用（）和（）控制，電壓可用本體上的禁帶寬度控制，因此即使是單電池片，其轉換效率也有望達到40%。

4.填空題在InP中也電子線照射缺陷一致的方向，注入（）以促進（）的所謂DLTS的方法得到的結果。

5.填空題由于大多數(shù)化合物半導體的能帶結構都是（），因此不像間接躍遷的Si那樣容易產生太陽能電池特性的放射線（）現(xiàn)象。