單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的材料試驗機示值相對誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中裂紋長度以在三個方向上分別測得的（）作為測量結(jié)果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定高度應在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定寬度應在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定長度應在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中尺寸測量的量具應為（）。
A、游標卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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可用作硅片的研磨材料是（）
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
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雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題