A、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
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A、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
PN結(jié)的基本特性是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。