單項(xiàng)選擇題對(duì)壓花錨的檢測數(shù)量要求是()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
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1.單項(xiàng)選擇題錨具規(guī)范中對(duì)鋼絲鐓頭的強(qiáng)度檢測數(shù)量要求是()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
2.單項(xiàng)選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
3.單項(xiàng)選擇題凸出式錨固端錨具的保護(hù)層厚度一般要求為()
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
4.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于()
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
5.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于()
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項(xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:單項(xiàng)選擇題