多項(xiàng)選擇題粉煤灰磚標(biāo)準(zhǔn)中，粉煤灰磚的檢驗(yàn)分為（）。

A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)


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1.多項(xiàng)選擇題粉煤灰磚的出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目包括（）。

A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、密度等級(jí)

2.多項(xiàng)選擇題粉煤灰磚檢驗(yàn)規(guī)則中當(dāng)產(chǎn)品有下列哪些情況時(shí)應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)。（）

A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時(shí)；
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時(shí)；
C、正常生產(chǎn)時(shí)，每半年進(jìn)行一次；
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)。

4.多項(xiàng)選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊孔的排數(shù)分為（）。

A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確

最新試題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題