A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
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A、對于整個試驗(yàn)應(yīng)準(zhǔn)備五個試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為（100±1）mm×（100±1）mm
D、試件在試驗(yàn)前至少在（23±2）℃和相對濕度30%~70%的條件下放置20h
A、（100±1）mm×（100±1）mm
B、（100±2）mm×（100±2）mm
C、（50±2）mm×（50±2）mm
D、（50±1）mm×（50±1）mm
A、距邊緣100mm以上
B、距邊緣20mm以上
C、距邊緣50mm以上
D、距邊緣80mm以上
A、取中值作為結(jié)果
B、取最小值作為結(jié)果
C、取最大值作為結(jié)果
D、取平均值作為結(jié)果
A、在（23±2）℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
PN結(jié)的基本特性是（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）