A、夾片
B、鐓頭
C、錨板
D、鋼絞線
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A、中強(qiáng)鋼絲
B、鋼絞線
C、熱處理鋼筋
D、高強(qiáng)鋼絲
A、3%
B、6%
C、8%
D、10%
A、實(shí)驗(yàn)壓力
B、壓入深度
C、維持時(shí)間
D、壓頭類型
A、折疊
B、裂紋
C、局部顆粒粗大
D、過燒
A、靜載錨固性能
B、疲勞載荷性能
C、周期載荷性能
D、輔助性能
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
可用作硅片的研磨材料是（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法