填空題RAM主要包括（）、存儲矩陣和讀/寫控制電路等部分。
您可能感興趣的試卷
最新試題
關(guān)于直流電路，下列描述錯誤的一項是（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于電壓源和電流源，下列描述錯誤的一項是（）。
題型：單項選擇題
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
一階動態(tài)電路中，下列關(guān)于換路定則表述最合理的一項是（）。
題型：單項選擇題
放大電路中，判斷三極管工作組態(tài)的依據(jù)是（）。
題型：單項選擇題
?以下參數(shù)為運放直流參數(shù)的是（）。
題型：單項選擇題
如圖所示電路中，二極管都是理想的，則電壓Uab=（）V。
題型：單項選擇題
流過電容的電流與（）成正比。
題型：單項選擇題
電路如圖所示，則（）。
題型：單項選擇題
?當(dāng)級聯(lián)一個低通濾波器和一個高通濾波器得到一個帶通濾波器時，低通濾波器的截止頻率必須（）。
題型：單項選擇題