A.基射接面需順偏,基集接面需順偏
B.基射接面需順偏,基集接面需反偏
C.基射接面需反偏,基集接面需順偏
D.基射接面需反偏,基集接面需反偏
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A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是
如圖所示N信道增強型MOSFET偏壓電路,其閘極至源極的電壓VGS=?()
A.9.6V
B.14.4V
C.0V
D.12V
E.8V
A.BJT為電流控制組件
B.NPN型BJT正常工作時,流通之多數(shù)載子為電子
C.BJT用于線性放大時,基射極需接反偏,基集極接順偏
D.不可以二個頭或尾對接之二極管來代替BJT組件使用
A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995
A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道(channel)間一般是隔著二氧化硅(SiO2)
D.與增強型比較,空乏型在制造上多了離子布植(ionimplantation)的手續(xù)
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