填空題目前常用的CVD系統(tǒng)有()、()和()。
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試用電導率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達式。
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項選擇題
版圖設(shè)計的基本前提是什么?
題型:問答題