最新試題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題
集成電容主要有幾種結構？
題型：問答題
目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型：問答題
20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題