A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
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A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會(huì)在恒溫下結(jié)晶
B.不會(huì)發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
A.其晶粒形狀會(huì)改變
B.其機(jī)械性能會(huì)發(fā)生改變
C.其晶格類型會(huì)發(fā)生改變
D.其晶粒大小會(huì)發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()