單項(xiàng)選擇題在低溫結(jié)晶時(shí)，晶體成長(zhǎng)速率主要受（）控制。
A、擴(kuò)散過(guò)程
B、表面反應(yīng)過(guò)程
C、傳熱過(guò)程
D、三者共同
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