單項(xiàng)選擇題
三相橋式半控整流電路中，每只晶閘管承受的最高正反向電壓為變壓器二次相電壓的（）倍。
A.A
B.B
C.C
D.D
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1.單項(xiàng)選擇題電子設(shè)備抗干擾常用的隔離法是（）。
A.用變壓器隔離
B.用光耦隔離
C.用繼電器隔離
D.A、B、C三種
2.單項(xiàng)選擇題選擇接地方式應(yīng)根據(jù)電路工作頻率來(lái)確定，當(dāng)頻率f ＜1MHz時(shí)，可以（）。
A.采用多點(diǎn)接地方式
B.采用一點(diǎn)接地方式
C.不采用接地
D.采用安全接地
3.單項(xiàng)選擇題對(duì)于低頻磁場(chǎng)干擾以及恒定磁場(chǎng)的影響，應(yīng)采用（）作屏蔽體，這可使干擾磁場(chǎng)的磁力線大部分經(jīng)屏蔽體構(gòu)成磁回路，從而隔離或削弱了磁場(chǎng)干擾的耦合通路。
A.鐵
B.鋁
C.銅
D.鋅
4.單項(xiàng)選擇題從自動(dòng)控制的角度來(lái)看，晶閘管中頻電源裝置在感應(yīng)加熱時(shí)是一個(gè)（）。
A.開(kāi)環(huán)系統(tǒng)
B.人工閉環(huán)系統(tǒng)
C.自動(dòng)閉環(huán)系統(tǒng)
D.半開(kāi)環(huán)系統(tǒng)
5.單項(xiàng)選擇題為了確保電力電子裝置安全可靠的運(yùn)行，必須正確選用電力電子器件，容量為600～4000 kV·A的裝置一般采用（）。
A.GR
B.IGBT
C.GO晶閘管
D.MOSFE
最新試題
交流耐壓試驗(yàn)前應(yīng)注意的事項(xiàng)，正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
變頻器的容量應(yīng)該從（）等幾個(gè)方面進(jìn)行了考慮。
題型：多項(xiàng)選擇題
檢測(cè)直流電機(jī)電樞繞組接地故障時(shí)，將直流低壓電源接到相隔近一個(gè)極距的兩個(gè)換向片上，測(cè)量換向片和軸的壓降，若某處的壓降（），則與該換向片連接的電樞線圈有接地故障。
題型：多項(xiàng)選擇題
同步發(fā)電機(jī)按不同的勵(lì)磁連接方式分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
屬于變頻器故障指示內(nèi)容的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
以下是變壓器特殊使用條件的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
PLC位尋址的格式由（）組成。
題型：多項(xiàng)選擇題
PLC對(duì)共用一個(gè)公共端的同一組輸出必須用同一電壓類型。
題型：判斷題
引起電動(dòng)機(jī)振動(dòng)的原因與（）有關(guān)。
題型：多項(xiàng)選擇題
諧振耐壓試驗(yàn)的顯著優(yōu)越性是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題