A.降低腦氧代謝率,延遲ATP的耗竭
B.保護血-腦屏障,減輕腦水腫
C.增加細胞內(nèi)泛素合成
D.抑制興奮性氨基酸毒性釋放
E.抑制外源性毒性產(chǎn)物對腦細胞的損害作用
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A.顱內(nèi)壓增高
B.血-腦屏障的破壞
C.腦血管內(nèi)微小物質沉積及腦缺氧改變
D.鈣代謝失調(diào)
E.以上都不正確
A.ATP-依賴性Na+-K+泵功能障礙,細胞膜除極化
B.谷氨酸釋放,經(jīng)NMDA受體介導,造成興奮性損傷
C.鈉離子內(nèi)流,細胞鈉水平增高
D.激活一系列第二信使,增加鈣通透性和谷氨酸釋放,從而擴大損傷
E.與線粒體呼吸鏈相互作用,而增加氧自由基的形成
A.無灌注期
B.腦充血期
C.低灌注期
D.昏迷期
E.以上均錯誤
A.150mg
B.300mg
C.10mg
D.1200mg
E.隨意
A.奎尼丁
B.維拉帕米
C.胺碘酮
D.補鉀
E.異丙腎上腺素
A.中止胸外心臟按壓
B.氣管插管接呼吸機輔助呼吸
C.非同步直流電除顫
D.同步直流量除復律
E.立即安置心臟起搏器
A.外周靜脈穿刺
B.中心靜脈穿刺
C.胸外心臟按壓
D.氣管插管
E.大量補液
A.穩(wěn)定性心絞痛
B.不穩(wěn)定性心絞痛
C.非ST抬性心肌梗死
D.急性廣泛前壁心肌梗死
E.急性心肌炎
A.加強呼吸、循環(huán)支持
B.調(diào)節(jié)內(nèi)環(huán)境和代謝紊亂
C.保證腦的血供和氧供
D.提高腦細胞代謝
E.減輕腦水腫,控制顱內(nèi)壓
A.口對口人工呼吸
B.胸外心臟按壓
C.體外電擊除顫
D.腎上腺素藥物的應用
E.經(jīng)鼻氣管插管
最新試題
按壓姿勢正確:身體稍前傾,使肩、肘、腕位于同一軸線上,與患者身體平面垂直,用上身重力按壓。
胺碘酮或利多卡因可用于治療對除顫無反應的室顫/無脈性室性心動過速。
心臟驟?;颊呓㈧o脈通路困難時,建立骨內(nèi)通路也是合理的選擇。
對于出生時接受呼吸支持的足月和晚期早產(chǎn)兒(妊娠≥35周),可以使用21%的初始氧濃度。
新生兒心肺復蘇時不應使用100%氧氣進行初始復蘇,否則會導致死亡率過高。
電除顫時電擊板涂抹導電糊時雙電擊板均應分別Z字形或C字形快速均勻涂抹,無導電糊時可用鹽水紗布,緊急時甚至可用清水。
在院外環(huán)境中治療兒童心臟驟停時,與高級氣道干預措施(氣管內(nèi)插管或聲門上氣道)相比,使用球囊面罩通氣是合理的。
不正確的心臟按壓可引起心臟破裂。
按壓與放松時間相同,確保每次按壓后胸廓完全回彈,按壓間隙手掌可離開胸壁,不能依靠在胸壁上。
心臟驟停期間如長時間心律未能恢復竇性心律則可以常規(guī)使用大劑量腎上腺素以提高搶救成功率。